美国新技术用低成本把石墨烯变半导体【鸭脖娱乐官网】
栏目:行业动态 发布时间:2021-09-16
石墨烯本身缺乏带隙,这使得它显示出高达每秒15000平方厘米(cm2/Vs)的惊人速度,比硅晶体慢10倍,但它不能用作导体。
本文摘要:石墨烯本身缺乏带隙,这使得它显示出高达每秒15000平方厘米(cm2/Vs)的惊人速度,比硅晶体慢10倍,但它不能用作导体。

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石墨烯本身缺乏带隙,这使得它显示出高达每秒15000平方厘米(cm2/Vs)的惊人速度,比硅晶体慢10倍,但它不能用作导体。现在,由威斯康辛大学教授迈克尔阿诺德(MichaelArnold)领导的研究小组和阿尔贡国家实验室的研究人员发现了一种新技术,可以用来生长石墨烯并定制它们的能量缺口。

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阿诺德解释说:“我们一直在寻找一种生长长度接近10纳米的半导体石墨烯带的方法,这种石墨烯带具有升降机边缘,可以通过控制纳米带的宽度来建立各种能隙。”锗衬底上沉积的“电梯边缘”石墨烯纳米带示意图(来源:UniversityofWisconsin)。

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研究人员长期以来一直认为,在石墨烯带上使用电梯边缘而不是锯齿边缘有望缩小能隙,并将其从导体变为半导体。然而,到目前为止,生长石墨烯最简单的方法是将其铺在铜金属上,然后在硅衬底上复制并转移到径向形状。

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阿诺德研究小组的主要发现是,有必要在低成本的锗表面生长具有升降器边缘的石墨烯带,使其成为比硅晶慢10倍的定制半导体。


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